薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタを有する表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-257711
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135436
出願日： 2008年10月02日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜と、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜上に形成される一対のバッファ層と、一対のバッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、微結晶半導体膜におけるドナーとなる不純物元素の濃度は、ゲート絶縁膜側から前記バッファ層にかけて減少し、バッファ層は、SIMSの検出限界より多くのドナーとなる不純物元素を含まない薄膜トランジスタである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜と、前記ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜上に形成される一対のバッファ層と、前記一対のバッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、前記一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、前記微結晶半導体膜における前記ドナーとなる不純物元素の濃度は、ゲート絶縁膜側から前記一対のバッファ層にかけて減少し、前記一対のバッファ層は、二次イオン質量分析法の検出限界より多くのドナーとなる不純物元素を含まないことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 29/417 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/14

FI (11件)：

H01L29/78 618F , H01L29/78 616U , H01L29/78 617T , H01L29/78 618E , H01L29/50 M , H01L21/28 301A , H01L21/28 301R , H01L29/58 G , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z

Fターム (135件)：

2H092GA14 , 2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JB65 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA10 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA29 , 2H092QA06 , 2H092QA09 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107HH05 , 4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB37 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD07 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD61 , 4M104DD63 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104FF08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH03 , 4M104HH13 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG14 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG37 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110GG54 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK26 , 5F110HK27 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ03 , 5F110QQ09 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-242724号公報
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-182073 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体薄膜トランジスタおよび該半導体薄膜トランジスタを含む半導体薄膜トランジスタアレイ基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-337001 出願人：株式会社アドバンスト・ディスプレイ

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