特許
J-GLOBAL ID：200903004181944677
シリコン・ウェハ上に作製されセラミック基板に接合されたインターポーザ・コンデンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-275607
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056145
出願日： 2003年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】 高性能薄膜誘電体コンデンサが表面に形成された、シリコン/シリコン酸化膜基板を有するインターポーザを提供する。【解決手段】 集積回路とセラミック基板との間に位置付けられたインターポーザであって、シリコン基板323の研磨面上に形成された酸化物層と、酸化物層上に形成された薄膜誘電体コンデンサとを有する。薄膜誘電体コンデンサのどちらかの電極に電気接続する複数のメタライズ・ビアと、セラミック基板305と集積回路の間に電力、接地、信号を伝えるビア314,316,318とを含む。インターポーザは、はんだ接続によってメタライズ・ビアを集積回路に接続し、また電力、接地、および信号を伝えるビアをセラミック基板からインターポーザまではんだ接続によって接続する。薄膜誘電体コンデンサの誘電体334は高Kチタン酸塩と、ニオブ酸鉛およびその誘導体やタングステン酸鉛およびその誘導体などのその他の高K誘電体との群から選択される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
電力、接地、および信号接続を有する集積回路と、電力、接地、および信号接続を有するセラミック基板との間に位置付けられたインターポーザであって、
シリコン基板の実質的な平面上に形成された酸化物層と、
前記酸化物層上に形成された第1の電極、誘電体、および第2の電極を有する薄膜誘電体コンデンサと、
前記第1の電極に電気接触する少なくとも1つのメタライズ・ビアと、前記第2の電極に電気接触する少なくとも1つのメタライズ・ビアを含む複数のメタライズ・ビアと、
前記セラミック基板の電力接続と前記集積回路の電力接続の間に電力を伝える少なくとも1つのビアと、前記セラミック基板の接地接続と前記集積回路の接地接続の間に接地を行う少なくとも1つのビアと、前記セラミック基板の信号接続と前記集積回路の信号接続の間に信号を伝える少なくとも1つのビアを含む複数のビアと
を含むインターポーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/32 D
, H01L23/12 B
