特許
J-GLOBAL ID：200903004184732123
受光素子、火炎センサ及び受光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319531
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154763
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 良好な量子効率及び応答速度を有するInAlGaN系の受光素子を提供する。【解決手段】 受光素子が、第1導電型の半導体層FLと、その半導体層FLとは導電型の異なる第2導電型の半導体層SLとの間に、キャリア濃度が1×1015cm-3以下の高抵抗のIny Alx Ga1-x-y N単結晶膜5(x≧0,y≧0)を形成して受光部PRが構成され、前記第1導電型の半導体層FLと前記第2導電型の半導体層SLとの間に通電されるように一対の電極8a,8bが形成されて構成されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、その半導体層とは導電型の異なる第2導電型の半導体層との間に、キャリア濃度が1×1015cm-3以下の高抵抗のIny Alx Ga1-x-y N単結晶膜(x≧0,y≧0)を形成して受光部が構成され、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層との間に通電されるように一対の電極が形成されて構成されている受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/10 B
