特許
J-GLOBAL ID：200903094146244785

窒化物半導体単結晶薄膜の成長方法及び同装置

発明者：
永田 清一

永田 清一 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014533
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213998
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 結晶成長温度を低下させ、併せて結晶成長速度を増加させること。V族元素原材料ガスであるアンモニアの必要供給量を減少させること。基板の選択幅を拡大することを目的とする。【解決手段】 III族元素原料ガスと窒素元素を含有するV族元素原料ガスを供給して、結晶成長室内の加熱された基板上に窒化物半導体単結晶薄膜を成長させる窒化物半導体単結晶薄膜の成長方法において、前記基板表面上の雰囲気圧力を約10Torrから数気圧の範囲に制御し、この雰囲気圧力以上の圧力にある窒素を主成分とするガスを放電領域を通過させて前記基板上に供給しながら前記窒化物半導体単結晶薄膜を成長させる。
請求項（抜粋）：
III族元素原料ガスと窒素元素を含有するV族元素原料ガスを供給して、結晶成長室内の加熱された基板上に窒化物半導体単結晶薄膜を成長させる窒化物半導体単結晶薄膜の成長方法において、前記基板表面上の雰囲気圧力を約10Torrから数気圧の範囲に制御し、この雰囲気圧力以上の圧力にある窒素を主成分とするガスを放電領域を通過させて前記基板上に供給しながら前記窒化物半導体単結晶薄膜を成長させることを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の成長方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (11件)
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