特許
J-GLOBAL ID:200903004192388431
積層セラミック電子部品の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮▲崎▼主税
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-397402
公開番号(公開出願番号):特開2005-159134
出願日: 2003年11月27日
公開日(公表日): 2005年06月16日
要約:
【課題】 Niを用いた内部電極を有し、内部電極の薄層化を図った場合であっても、内部電極と外部電極との電気的接続の信頼性に優れた積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミック焼結体と、セラミック焼結体内においてセラミックスを介して重なり合うように配置されており、セラミック焼結体の少なくとも1つの端面に引き出された複数の内部電極と、セラミック焼結体の外表面に形成されており、いずれかの内部電極に電気的に接続された複数の外部電極とを備える積層セラミック電子部品の製造方法において、未焼成のセラミック層を介して内部電極が積層されている積層体を用意し、上記積層体を積層するに当り、降温過程の途中において雰囲気を還元性雰囲気から酸化性雰囲気に切り替えることにより内部電極を酸化膨張させる焼成工程と、内部電極を還元する工程とを備える、積層セラミック電子部品の製造方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
セラミック焼結体と、セラミック焼結体内においてセラミック層を介して重なり合うように配置されており、前記セラミック焼結体の少なくとも1つの端面に引き出された複数の内部電極と、前記セラミック焼結体の外表面に形成されており、いずれかの内部電極に電気的に接続された複数の外部電極とを備える積層セラミック電子部品の製造方法であって、
未焼成のセラミック層を介して内部電極が積層されている積層体を用意する工程と、
前記積層体を焼成するための昇温過程と降温過程とを有し、降温過程の途中において、雰囲気を還元性雰囲気から酸化性雰囲気に切り替えることにより内部電極を酸化膨張させる焼成工程と、
前記内部電極を還元する工程とを備える、積層セラミック電子部品の製造方法。
IPC (3件):
H01G13/00
, H01G4/12
, H01G4/30
FI (3件):
H01G13/00 391E
, H01G4/12 364
, H01G4/30 311D
Fターム (22件):
5E001AB03
, 5E001AH08
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
, 5E001AJ03
, 5E082AB03
, 5E082BC38
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082EE35
, 5E082FG06
, 5E082FG26
, 5E082FG54
, 5E082GG10
, 5E082GG28
, 5E082JJ03
, 5E082JJ15
, 5E082LL01
, 5E082LL02
, 5E082MM24
, 5E082PP06
引用特許:
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