特許
J-GLOBAL ID:200903004203545020

半導体レーザ素子および光学式情報再生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-205787
公開番号(公開出願番号):特開2001-085796
出願日: 2000年07月06日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】 リップルを抑制したレーザを歩留まりよく生成する。【解決手段】 GaN層と、Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>N(0.05≦x1≦0.2)下部クラッド層と、In<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>N(0<y1<1)下部ガイド層(膜厚d1[μm])と、 Al<SB>a1</SB>In<SB>b1</SB>Ga<SB>1-a1-b1</SB>N<SB>1-e1-f1</SB>P<SB>e1</SB>As<SB>f1</SB>(0≦a1、0≦b1、a1+b1≦1、0≦e1、0≦f1、e1+f1<0.5)井戸層とAl<SB></SB><SB></SB><SB></SB><SB>a2</SB>In<SB>b2</SB>Ga<SB>1-a2-b2</SB>N<SB>1-e2-f2</SB>P<SB>e2</SB>As<SB>f2</SB>(0≦a2、0≦b2、a2+b2≦1、0≦e2、0≦f2、e2+f2<0.5)障壁層との交互多層構造からなる活性層(膜厚Wa[μm])と、In<SB>y2</SB>Ga<SB>1-y2</SB>N(0<y2<1)上部ガイド層(膜厚d2[μm])と、Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>N(0.05≦x2≦0.2)上部クラッド層と、をこの順に備えた半導体レーザ素子は、積層面に垂直方向のファーフィールドパターンにおけるリップルが抑制されるように、下部ガイド層および上部ガイド層の膜厚と組成を設定する。
請求項(抜粋):
GaN層と、Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>N(0.05≦x1≦0.2)下部クラッド層と、In<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>N(0<y1<1)下部ガイド層(膜厚d1[μm])と、Al<SB>a1</SB>In<SB>b1</SB>Ga<SB>1-a1-b1</SB>N<SB>1-e1-f1</SB>P<SB>e1</SB>As<SB>f1</SB>(0≦a1、0≦b1、a1+b1≦1、0≦e1、0≦f1、e1+f1<0.5)井戸層とAl<SB>a2</SB>In<SB>b2</SB>Ga<SB>1-a2-b2</SB>N<SB>1-e2-f2</SB>P<SB>e2</SB>As<SB>f2</SB>(0≦a2、0≦b2、a2+b2≦1、0≦e2、0≦f2、e2+f2<0.5)障壁層との交互多層構造からなる活性層(膜厚Wa[μm])と、In<SB>y2</SB>Ga<SB>1-y2</SB>N(0<y2<1)上部ガイド層(膜厚d2[μm])と、Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>N(0.05≦x2≦0.2)上部クラッド層と、をこの順に備えた半導体レーザ素子であって、積層面に垂直方向のファーフィールドパターンにおけるリップルが抑制されるように、該下部ガイド層および該上部ガイド層の膜厚と組成を設定してなることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件):
H01S 5/343 ,  G11B 7/125
FI (2件):
H01S 5/343 ,  G11B 7/125 A
引用特許:
審査官引用 (2件)

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