特許
J-GLOBAL ID：200903063827731274
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-149183
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041581
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【目的】 シンプルな構造で窒化物半導体よりなるレーザ素子を実現し、閾値電流を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】 基板上部に、AlとGaとを含むn型窒化物半導体層よりなるn型コンタクト層と、Inを含む窒化物半導体よりなる多重量子井戸構造の活性層と、Alを含むp型窒化物半導体よりなる第1のp型層と、p型窒化物半導体よりなるp型コンタクト層とを順に有することにより、n型コンタクト層が光閉じ込め層として作用するため、他のクラッド層を省略することができる。
請求項（抜粋）：
基板上部に、AlとGaとを含むn型窒化物半導体層よりなるn型コンタクト層と、Inを含む窒化物半導体よりなる多重量子井戸構造の活性層と、Alを含むp型窒化物半導体よりなる第1のp型層と、p型窒化物半導体よりなるp型コンタクト層とを順に有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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