多結晶薄膜の製造方法と製造装置および多結晶薄膜を備えた酸化物超電導導体の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060187
公開番号（公開出願番号）：特開平6-271400
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：

【要約】【目的】本発明は、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を得ること、その製造装置を提供することと、多結晶薄膜を備えた酸化物超電導導体を得ることを目的とする。【構成】本発明は、長尺の基材Aを移動させながらその表面に成膜法により順次多結晶薄膜Bを形成する方法において、ターゲット12から発生させた粒子を移動中の基材表面に順次堆積させるとともに、粒子堆積中の基材表面に対して斜め方向から所定範囲の照射角度でイオンビームを照射する一方、前記所定範囲の照射角度から外れてイオンビームが照射される領域に遮蔽部材5a、5bを設けてこの領域での粒子の堆積を阻止するものである。【効果】本発明によれば、イオンビームの照射角度が規定範囲以外の領域を遮蔽部材で覆って成膜するので配向性の悪い状態になるように原子を堆積させることがなくなる。

請求項（抜粋）：

長尺の基材を移動させながらその表面に成膜法により順次多結晶薄膜を形成する方法において、ターゲットから発生させた粒子を移動中の基材表面に順次堆積させるとともに、粒子堆積中の基材表面に対して斜め方向から所定範囲の照射角度でイオンビームを照射する一方、前記所定範囲の照射角度から外れてイオンビームが照射される領域に遮蔽部材を設けてこの領域での粒子の堆積を阻止することを特徴とする多結晶薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/22 501 , C01B 13/14 ZAA , C01G 1/00 ZAA , C23C 14/22 , H01B 12/06 ZAA , H01B 13/00 565 , H01L 39/24 ZAA

引用特許：

出願人引用 (4件)

酸化物超電導導体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-205551 出願人：超電導発電関連機器・材料技術研究組合
特開平4-331795
特開平3-068755

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審査官引用 (3件)

酸化物超電導導体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-205551 出願人：超電導発電関連機器・材料技術研究組合
特開平4-331795
特開平3-068755

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