特許

J-GLOBAL ID：200903004225677620

スマートカット(登録商標)剥離後の熱処理方法

発明者： 赤津 豪 ,  ダヴァル,ニコラ ,  ニュエン,ニュエ-フオン ,  ブルデル,コンスタンタン
出願人/特許権者： エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース
代理人 (1件)： 太田 恵一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-501320
公開番号（公開出願番号）：特表2007-526646
出願日： 2005年03月07日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

本発明は、ドナー基板(10)から採取した、半導体材料の中から選択した材料からなる層(1)を含む構造(30)の形成方法に関し、この方法は、(a)ドナー基板(10)内の採取層(1)の厚さに近い深さのところに脆化ゾーン(4)を形成するために核種を注入するステップと、(b)受容基板(20)にドナー基板を接着するステップと、(c)脆化ゾーン(4)でドナー基板(10)から採取層(1)を切り離すために熱エネルギーを供給するステップと、(d)採取層(1)の処理ステップとを含み、ステップ(d)は、採取層(1)が依然としてドナー基板の残りの部分(10’)と接触し続けているのにも関わらず実施される採取層(1)の修復操作を含み、この修復操作が、ドナー基板の残りの部分(10’)と採取層(1)との再接着温度より低い温度の熱処理によって実施されることを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ドナー基板(10)から採取した、半導体材料の中から選択した材料からなる層(1)を含む構造(30)の形成方法であって、 (a)ドナー基板(10)内の、採取層(1)の厚さに近い深さのところに、脆化ゾーン(4)を形成するために核種を注入するステップと、 (b)受容基板(20)にドナー基板を接着するステップと、 (c)脆化ゾーン(4)でドナー基板(10)から採取層(1)を切り離すために熱エネルギーを供給するステップと、 (d)採取層(1)の処理ステップ とを含み、 ステップ(d)が、採取層(1)が依然としてドナー基板の残りの部分(10’)と接触し続けているのにも関わらず実施される採取層(1)の修復操作を含み、この修復操作が、ドナー基板の残りの部分(10’)と採取層(1)との再接着温度より低い温度での熱処理によって実施されることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/324 X

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 仏国特許出願公開第2842349号明細書
  
• 仏国特許出願公開第2842350号明細書
  

審査官引用 (2件)

• SOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-353179   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• 半導体基板及び半導体基板の製造方法並びに半導体基板製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-099989   出願人：株式会社デンソー