特許
J-GLOBAL ID：200903064482844433
半導体基板及び半導体基板の製造方法並びに半導体基板製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099989
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294754
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 イオン注入による基板剥離技術において、剥離半導体層の膜厚均一性を悪化させることなく剥離面の平坦化を実施すること。【解決手段】 イオン注入層6が形成された注入基板5と、最終的にSOI基板1の埋込酸化膜3となる表面酸化膜2aが形成された支持基板2とを貼り合わせた状態で熱処理を行うという基板剥離技術を用いてSOI基板1を加工する際に、剥離により形成されたSOI層4の剥離面4aを、水素によるエッチング作用を用いることで平坦化する。特に、剥離後の熱処理温度や雰囲気ガスを制御することにより良好な平坦化処理を行う。
請求項（抜粋）：
支持基板(2)上に、当該支持基板(2)と電気的に絶縁した状態で素子形成用の半導体層(4)を設けてなる半導体基板(1)を製造する方法において、前記半導体層(4)を形成するための半導体層用基板(5)の表面から所定の深さにイオン注入を行ってイオン注入層(6)を形成するイオン注入工程と、前記半導体層用基板(5)のイオン注入側の面と前記支持基板(2)とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、この貼り合わせ工程にて貼り合わされた前記半導体層用基板(5)に対して熱処理を施して前記イオン注入層(6)により形成される欠陥層領域部分で前記半導体層用基板(5)を剥離して前記半導体層(4)を形成する剥離熱処理工程と、剥離した半導体層(4)の剥離面(4a)もしくは支持基板(2)及び半導体層(4)全体を熱処理することにより剥離面(4a)の平坦性を向上させる平坦化熱処理工程とを行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/265
, H01L 21/3065
H01L 27/12 B
, H01L 21/265 W
, H01L 21/302 L
5F004AA00
, 5F004BA19
, 5F004BB18
, 5F004BB26
, 5F004DA00
, 5F004DA24
, 5F004DB00
, 5F004DB01
, 5F004EA34
