特許
J-GLOBAL ID：200903004228234193
はんだボールバンプの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250943
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092652
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 BLM膜と密着性の強いはんだボールバンプを形成する。【解決手段】 フォトレジストのリフトオフを用いてはんだ層14をパターンニグする際のはんだ成膜工程を含むはんだボールバンプ15の形成方法において、少なくともプラズマ生成と基板バイアス電圧とを独立に制御可能な2つの高周波電源を有するプラズマ処理装置を用いて成膜前処理を行うことを特徴とするはんだボールバンプの形成方法。【効果】 BLM4上に残存するスカム6aを除去でき、はんだボールバンプとの密着性を向上できる。
請求項（抜粋）：
フォトレジストのリフトオフを用いて半田層をパターニングする際の半田成膜工程を含む半田ボールバンプの形成方法において、少なくともプラズマ生成と基板バイアス電圧とを独立に制御可能な2つの高周波電源を有するプラズマ処理装置を用いて成膜前処理を行なうことを特徴とする半田ボールバンプの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/3065
H01L 21/92 604 C
, H01L 21/302 J
, H01L 21/92 604 S
