多層配線構造及びそれを有する半導体装置並びにそれらの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-144715
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340319
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】低誘電率の有機材料からなる層間絶縁膜を用いた場合にも、ボンディング時の衝撃に対する電極部の耐久性が良好で、寄生容量の低減と電極部強度の向上との双方を実現し得る多層配線構造を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に形成された無機最下層絶縁膜2の上に複数の配線9,11,13の層を形成し、それらの隣接するものどうしの間に有機層間絶縁膜14,15,16,17,18を介在させ、無機最下層絶縁膜2及び有機層間絶縁膜15,17にビアメタル8,10,12を形成し、有機層間絶縁膜14,15,16,17,18に電極パッドに対応する形状の開口を形成し、これらの開口を金属材料で埋めて金属膜パターン3,4,6,5,7を形成することで、これら金属膜パターン3,4,6,5,7の積層体として電極パッドを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に最下層絶縁膜を介して複数の配線層が形成されており、該複数の配線層の隣接するものどうしを互いに絶縁するように層間絶縁膜が形成されており、外部との電気的接続のため前記複数の配線層のうちの少なくとも1つの配線と接続された電極パッドを備えている多層配線構造であって、前記電極パッドは前記層間絶縁膜を膜厚方向に貫通して形成された導電部材からなり、該導電部材の側面は前記膜厚方向に延びており、前記最下層絶縁膜は無機絶縁膜からなることを特徴とする、多層配線構造。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-231735
半導体基板等のパッド構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-078279 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-036535 出願人：日本電気株式会社

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