特許
J-GLOBAL ID：200903004270795820
不揮発性磁気メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182730
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005308
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 構成が簡単で、メモリ動作が確実な不揮発性磁気メモリを提供する。【解決手段】 外部磁場に対して磁化が変化する磁気ヒステリシス特性を有する棒形状を有し、棒形状の長手方向に沿って、1つの磁壁14を生じ、棒形状の両端に、第1、第2の電極15、17及びその中央部に第3の電極16を有する不揮発性磁気メモリ20Aにおいて、1つの磁壁14が移動した際に固定するための第1のくびれ部18を第1の電極15と第3の電極16との間に、かつ第2のくびれ部19を第2の電極17と第3の電極16との間に形成する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
外部磁場に対して磁化が変化する磁気ヒステリシス特性を有する棒形状を有し、前記棒形状の長手方向に沿って、1つの磁壁を生じ、前記棒形状の両端に、第1、第2の電極及びその中央部に第3の電極を有する不揮発性磁気メモリにおいて、
前記1つの磁壁が移動した際に固定するための第1のくびれ部を前記第1の電極と前記第3の電極との間に、かつ第2のくびれ部を前記第2の電極と前記第3の電極との間に形成することを特徴とする不揮発性磁気メモリ。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, H01L43/08 P
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083GA27
