露光方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川北喜十郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-322131
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227854
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】スループットを極端に低下させることなく、各露光ショット位置で正確にレベリング及び合焦を行なう。【構成】ウエハ全体の傾斜補正(グローバルレベリング)が第1の露光ショットへの位置決めのためのウエハの移動中に行なわれ(ステップ110)、各露光ショットへの位置決め後に各露光位置でのレベリング(チップレベリング)が行なわれる(ステップ112)。従って、レベンリング動作が分割され、各露光位置でのレベリング補正量が小さくなり、露光位置では短時間でレベリングが完了する。また、ステップ118でステップ114で求められた焦点からの位置ずれ量に応じた量だけ次露光ショット移動中にウエハを光軸方向に沿って焦点側へ移動させるので、各露光ショットへ位置決めされた時には、大まかな合焦がなされている。ステップアンドリピート方式のみならず走査型の露光方法にも適用できる。

請求項（抜粋）：

マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して感光基板上の複数のショット領域の各々に順次転写するステップアンドリピート方式の露光方法において、前記感光基板上の複数の計測点の各々における前記投影光学系の光軸方向の位置を計測する第1の工程と;前記複数のショット領域の1つを前記投影光学系のイメージフィールド内に位置決めするための前記感光基板の移動中に、前記計測結果に基づいて前記投影光学系の像面と前記感光基板の表面との相対的な傾斜を補正する第2の工程と;前記投影光学系の像面に対する前記1つのショット領域の表面の傾斜量と焦点ずれ量とを検出し、該検出結果に基づいて前記感光基板を傾けるとともに前記光軸方向に移動する第3の工程と;前記マスクパターンを前記1つのショット領域に転写するとともに、前記第3の工程での前記感光基板の傾斜量に基づいて、次にマスクパターンを転写すべき前記1つのショット領域とは別のショット領域の表面の前記投影光学系の像面からの位置ずれ量を求める第4の工程と;前記別のショット領域を前記投影光学系のイメージフィールド内に位置決めするための前記感光基板の移動中に、前記求められた位置ずれ量に応じた量だけ前記感光基板を前記光軸方向に移動する第5の工程と;を含むことを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 7/23

FI (5件)：

H01L 21/30 526 B , G03F 7/20 521 , G03F 7/23 H , H01L 21/30 514 C , H01L 21/30 516 B

引用特許：

出願人引用 (8件)

露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-183898 出願人：株式会社ニコン
特開平4-350925
投影露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-346073 出願人：株式会社ニコン

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