半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-326720
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183612
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】横モードが安定で動作電流・動作電圧が小さいII-VI族化合物半導体レーザ素子を、内部ストライプ構造により提供する。【構成】ストライプ状に形成された溝を有する第1導電型のIII-V族化合物半導体基板上に、この溝内にのみ選択的に第1導電型のII-VI族化合物半導体電圧低減層が積層され、これらの基板と電圧低減層上の全面にわたって順次II-VI族化合物半導体からなる第1導電型のクラッド層・活性層・第2導電型のクラッド層・第2導電型のコンタクト層とが積層されている。【効果】電流は電圧低減層が積層された内部のストライプ部にのみ注入され、電流が狭窄される。また活性層を積層した後に再成長することがないため、結晶性の劣化が防げる。さらに、レーザ光はIII-V族化合物半導体基板での光吸収と屈折率の低い第1導電型のクラッド層とで閉じ込められ、安定した横モードが得られる。また、電極は素子全面でとれるのでコンタクト抵抗が低減し動作電圧が下がる。

請求項（抜粋）：

II-VI族化合物半導体を用いた半導体レーザ素子において、第1導電型のIII-V族化合物半導体基板上に、第1導電型のII-VI族化合物半導体電圧低減層が部分的に形成され、該III-V族化合物半導体基板と該II-VI族化合物半導体電圧低減層の上に、第1導電型のII-VI族化合物半導体クラッド層、活性層、第2導電型のクラッド層、第2導電型のコンタクト層とが順次積層され、上記II-VI族化合物半導体電圧低減層はその多数キャリアが存在する側のエネルギーバンド端が、該第1導電型のIII-V族化合物半導体基板の多数キャリアが存在する側のエネルギーバンド端と、該第1導電型のII-VI族化合物半導体クラッド層の多数キャリアが存在する側のエネルギーバンド端の間に存在することを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016258 出願人：株式会社東芝
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-071557 出願人：ティーディーケイ株式会社
特開平4-100290

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