特許

J-GLOBAL ID：200903004284664982

テラヘルツ帯光学素子用の薄膜形成方法

発明者： 寳迫 巌
出願人/特許権者： 独立行政法人通信総合研究所
代理人 (3件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-275211
公開番号（公開出願番号）：特開2004-109827
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】半導体検出器の性能を劣化させることなく、屈折率の整合を取ることができ、また製造が容易であるテラヘルツ帯光学素子用の薄膜形成方法を提案する。【解決手段】100GHzから10THzまでの光の光学素子をプラズマCVD装置に入力し、CVD用の原料ガスの切り換えを順次行なって、屈折率の大きい屈折率をもつ膜と、それよりも小さい屈折率をもつ膜とを含む複数の積層膜をその表面に順次形成して光波干渉膜とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

100GHzから10THzまでの光の光学素子をプラズマCVD装置に入力し、CVD用の原料ガスの切り換えを順次行なって、第1の屈折率をもつ膜と、それよりも小さい第2の屈折率をもつ膜とを含む複数の積層膜をその表面に順次形成して光波干渉膜とすることを特徴とするテラヘルツ帯光学素子用の薄膜形成方法。

IPC (3件)：

G02B1/11 ,  C23C16/42 ,  G02B5/26

FI (3件)：

G02B1/10 A ,  C23C16/42 ,  G02B5/26

Fターム (15件)：

2H048FA05 ,  2H048FA07 ,  2H048FA11 ,  2H048FA24 ,  2K009AA02 ,  2K009CC03 ,  2K009CC14 ,  2K009DD03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030DA08 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置および光学部品の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-343087   出願人：大見忠弘, キヤノン株式会社
• 特開平3-091701
  
• 光学素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-508809   出願人：テヒニシェ・ウニベルジテート・ブラウンシュバイク・カロロ-ビルヘルミナ
• 特開平3-091701