特許

J-GLOBAL ID：200903004317755768

半導体集積回路装置

発明者： 渥美 滋 ,  栗山 正男 ,  梅沢 明 ,  番場 博則 ,  田浦 忠行 ,  斉藤 栄俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-045859
公開番号（公開出願番号）：特開平10-302476
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 複数の品種に対応した所望のモード設定用データ等を記憶するデータ記憶部の信頼性を向上させ、信頼性の高い上記データ記憶部を備えた半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】 集積回路の動作/機能設定情報を記憶する不揮発性トランジスタ(31)を含み、動作/機能設定情報に応じた集積回路の動作/機能設定信号(MODE)を発生する動作/機能設定信号発生回路(16)と、電源電圧(VDD)を昇圧電圧(VDDR)に昇圧する昇圧回路(81)と、動作/機能設定信号発生回路(16)を制御するコントローラ(82)とを具備する。そして、コントローラ(82)は、昇圧電圧(VDDR)を使用して不揮発性トランジスタ(31)から動作/機能設定情報を読み出すことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体チップ内に形成された集積回路と、前記集積回路の動作/機能設定情報を記憶する設定情報メモリを含み、前記動作/機能設定情報に応じた集積回路の動作/機能設定信号を発生する動作/機能設定信号発生手段と、電源電圧を昇圧電圧に昇圧する昇圧手段と、前記動作/機能設定信号発生回路を制御する制御手段とを具備し、前記制御手段は、前記昇圧電圧を使用して前記設定情報メモリから前記動作/機能設定情報を読み出すことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G11C 11/41 ,  G11C 16/02 ,  G11C 29/00 603

FI (4件)：

G11C 11/34 Z ,  G11C 29/00 603 J ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 601 T

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-095184
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-281368   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-145874   出願人：松下電子工業株式会社