特許
J-GLOBAL ID:200903004322759712
ニッケル系二次電池及び該二次電池の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
荻上 豊規
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-181389
公開番号(公開出願番号):特開2001-357845
出願日: 2000年06月16日
公開日(公表日): 2001年12月26日
要約:
【要約】【課題】 活物質利用率が高く、エネルギー密度が高く、且つ耐過充電性に優れ、長寿命な正極を備えたニッケル系二次電池を提供する。【解決手段】 特定の非晶質相を有する水酸化ニッケル粒子を含有する材料101を使用して形成された正極(100)を有する二次電池であって、該水酸化ニッケル粒子は、CuのKαを線源とするX線回折における回折角2θ=19°付近に出現する(001)面の回折ピークの半価幅が1.2°以上であり、且つ2θ=38°付近に出現する(101)面の回折ピークの半価幅が1.5°以上であることを特徴とする。
請求項(抜粋):
少なくとも正極、負極、セパレータ、及びアルカリ電解液からなる電解質を有する二次電池において、前記正極は活物質層と集電体とからなり、該活物質層は、CuKαを線源とするX線回折における回折角2θ=19°付近に出現する(001)面の回折ピークの半価幅が1.2°以上であり、且つ2θ=38°付近に出現する(101)面の回折ピークの半価幅が1.5°以上である非晶質相を有する水酸化ニッケルの粒子を含有する材料で構成されていることを特徴とする二次電池。
IPC (8件):
H01M 4/52
, C01G 53/04
, H01M 4/32
, H01M 4/62
, H01M 4/64
, H01M 4/74
, H01M 4/80
, H01M 10/30
FI (9件):
H01M 4/52
, C01G 53/04
, H01M 4/32
, H01M 4/62 C
, H01M 4/64 A
, H01M 4/74 A
, H01M 4/74 C
, H01M 4/80 C
, H01M 10/30 A
Fターム (57件):
4G048AA02
, 4G048AB01
, 4G048AB02
, 4G048AC06
, 4G048AD03
, 4G048AD06
, 4G048AE05
, 5H017AA02
, 5H017BB16
, 5H017CC01
, 5H017CC05
, 5H017CC25
, 5H017DD01
, 5H017EE04
, 5H017HH01
, 5H017HH03
, 5H017HH06
, 5H028AA01
, 5H028AA05
, 5H028AA06
, 5H028BB10
, 5H028CC07
, 5H028CC08
, 5H028CC10
, 5H028CC12
, 5H028CC17
, 5H028EE01
, 5H028EE05
, 5H028EE06
, 5H028EE10
, 5H028FF04
, 5H028HH01
, 5H028HH03
, 5H028HH05
, 5H028HH10
, 5H050AA03
, 5H050AA07
, 5H050AA08
, 5H050BA11
, 5H050CA03
, 5H050CB17
, 5H050DA06
, 5H050DA09
, 5H050DA10
, 5H050DA11
, 5H050EA01
, 5H050EA23
, 5H050FA12
, 5H050FA15
, 5H050FA17
, 5H050FA18
, 5H050GA18
, 5H050GA22
, 5H050HA01
, 5H050HA05
, 5H050HA10
, 5H050HA13
引用特許:
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