特許
J-GLOBAL ID:200903004330794284
窒化物半導体結晶及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高石 橘馬
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-037714
公開番号(公開出願番号):特開2006-225180
出願日: 2005年02月15日
公開日(公表日): 2006年08月31日
要約:
【課題】 一般式:AlxInyGa1-x-yNで表される窒化物半導体結晶であって、低転位密度化のために初期核密度を低下させた窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に前記窒化物半導体の多数の初期核を形成し、成長に従って互いに融合させ、もって平滑な結晶とする工程を有し、前記初期核による前記基板の表面被覆率が0.8以下の期間において、式:ρ=f/h2(fは表面被覆率であって、0≦f≦1を満たし、hは前記fを測定した時点における前記初期核の平均高さを表す。)により表される初期核密度ρが6×105 cm-2以下とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
一般式:AlxInyGa1-x-yNで表される窒化物半導体結晶の製造方法であって、基板上に前記窒化物半導体の多数の初期核を形成し、成長に従って互いに融合させ、もって平滑な結晶とする工程を有し、前記初期核による前記基板の表面被覆率が0.8以下の期間において、下記式(1):
ρ=f/h2・・・(1)
(fは表面被覆率であって、0≦f≦1を満たし、hは前記fを測定した時点における前記初期核の平均高さを表す。)により表される初期核密度ρが6×105 cm-2以下であることを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (26件):
4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077DB05
, 4G077EE03
, 4G077EE05
, 4G077EE06
, 4G077EE07
, 4G077HA12
, 4G077TB04
, 4G077TC13
, 4G077TC17
, 4G077TJ01
, 4G077TK01
, 4G077TK08
, 5F045AB14
, 5F045AB18
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DB01
, 5F045DB06
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (2件)
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窒化ガリウム単結晶の成長方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-015966
出願人:日亜化学工業株式会社
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特開平4-175292
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