半導体発光素子及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235135
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074557
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】発光効率、信頼性及び応答特性の高い半導体発光素子を得る。【解決手段】 GaAs基板1上に、AlGaInP系材料からなる第1クラッド層3、活性層4及び第2クラッド層5が設けられている。活性層4はp型であり、そのキャリア濃度が1×1017cm-3より大きく3×1018cm-3以下である。

請求項（抜粋）：

基板上に第1導電型の第1クラッド層と第2導電型の第2クラッド層とで活性層を挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体発光素子であって、該活性層の導電型がp型であり、そのキャリア濃度が1×1017cm-3より大きく3×1018cm-3以下である半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 B , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (12件)

エピタキシャルウェーハ及び黄色発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-161246 出願人：昭和電工株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-247793 出願人：株式会社東芝
特開平1-286486

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