結晶成長炉

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西教圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-238345
公開番号（公開出願番号）：特開平9-077590
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】下部ヒータとともに上部ヒータを設け、境界を低温度勾配化し、結晶の長大化をはかる。【解決手段】石英るつぼ23内のGaP融液28上には、B2 O3 25でシールしながらGaP結晶24を接触させ、LEC法による結晶成長を行わせる。石英るつぼ23はサセプターウォール32に保持され、その上縁部は下部ヒータ26と上部ヒータ35との間を仕切る下部トッププレート31を越えて上部ヒータ35側に延びるように形成される。このようにサセプターウォール32を長尺化することによって、結晶成長界面付近の温度勾配を小さくし、高品位の結晶を得ることができる。さらに上部ヒータ35から結晶に直接照射される熱を防ぎ、リンなどの成分元素の解離を抑える。

請求項（抜粋）：

るつぼ内の融液表面に種結晶を接触させ、種結晶を引上げながら結晶を成長させる際に、融解用の下部ヒータと、結晶成長熱環境設定用の上部ヒータとによって加熱する結晶成長炉において、るつぼの外周面と下部ヒータの内周面との間に、るつぼを覆って保持するサセプターウォールが設けられ、サセプターウォールの上縁部は、下部ヒータと上部ヒータとの境界部を越えて上部ヒータ側に延びるように形成されていることを特徴とする結晶成長炉。

IPC (2件)：

C30B 15/14 , H01L 21/208

FI (2件)：

C30B 15/14 , H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭61-068388
特開平3-083889
特開平4-130086

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