半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-155740
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347543
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】シリコン窒化膜の構成や形成方法を改善することにより、特性等に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板101と、ゲート電極104、105、106と、半導体基板とゲート電極との間に形成された第1の絶縁膜103と、ゲート電極の上面又は側面に沿って形成され、窒素、シリコン及び水素を含有した下層側シリコン窒化膜107と、下層側シリコン窒化膜上に形成され、窒素、シリコン及び水素を含有した上層側シリコン窒化膜108と、を含む第2の絶縁膜と、を備えた半導体装置であって、下層側シリコン窒化膜における窒素(N)とシリコン(Si)との組成比N/Siの方が、上層側シリコン窒化膜における窒素(N)とシリコン(Si)との組成比N/Siよりも高い。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、ゲート電極と、前記半導体基板と前記ゲート電極との間に形成された第1の絶縁膜と、前記ゲート電極の上面又は側面に沿って形成され、窒素、シリコン及び水素を含有した下層側シリコン窒化膜と、下層側シリコン窒化膜上に形成され、窒素、シリコン及び水素を含有した上層側シリコン窒化膜と、を含む第2の絶縁膜と、を備えた半導体装置であって、前記下層側シリコン窒化膜における窒素(N)とシリコン(Si)との組成比N/Siの方が、前記上層側シリコン窒化膜における窒素(N)とシリコン(Si)との組成比N/Siよりも高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (13件)：

H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/318 , H01L 21/336 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/41 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (10件)：

H01L 21/283 B , H01L 21/318 M , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 371 , H01L 29/58 G , H01L 29/44 S , H01L 27/10 434 , H01L 27/10 671 Z , H01L 29/78 301 Y , H01L 29/78 301 P

Fターム (129件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD65 , 4M104DD71 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104DD86 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE08 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF14 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 4M104HH05 , 4M104HH18 , 5F058BA05 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BJ10 , 5F083AD01 , 5F083EP02 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP44 , 5F083EP60 , 5F083EP79 , 5F083ER02 , 5F083ER03 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083JA19 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083PR21 , 5F083ZA21 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA45 , 5F101BA54 , 5F101BB05 , 5F101BC01 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BD34 , 5F101BD45 , 5F101BF05 , 5F101BH02 , 5F101BH05 , 5F140AA24 , 5F140AA28 , 5F140AC01 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD09 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BF34 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG39 , 5F140BG45 , 5F140BG49 , 5F140BG52 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK27 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC12 , 5F140CC15 , 5F140CE07 , 5F140CE10 , 5F140CF04 , 5F140CF07

引用特許：

出願人引用 (2件)

高耐圧半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-155837 出願人：松下電子工業株式会社
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-100264 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (2件)

高耐圧半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-155837 出願人：松下電子工業株式会社
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-100264 出願人：ソニー株式会社

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