特許
J-GLOBAL ID：200903027790767005
高耐圧半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155837
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349283
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 界面準位を制御してソース-ドレイン間の降伏現象を減少させる高耐圧半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 水素を7%以上含有した不活性ガス中で半導体基板を熱処理して界面準位の密度を減少させ、熱処理後の半導体素子の上に保護膜を形成する。あるいは、半導体素子の上に、SiとNの原子数の比(Si/N)を0.7より小さくして2.5×1022atoms/cm3以上の水素を含有するシリコンナイドライド膜を含む保護膜を形成する。あるいは、水素を7%以上含有した不活性ガス中で半導体基板を熱処理して界面準位の密度を減少させ、モノシランガスとアンモニアガスの比を調整しながら前記熱処理した半導体基板の上に2.5×1022atoms/cm3以上の水素を含有するシリコンナイドライド膜を含む保護膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された半導体素子の上に、SiとNの原子数の比(Si/N)が0.7より小さい保護膜を形成した高耐圧半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/318
, H01L 29/74
, H01L 21/332
H01L 29/78 301 N
, H01L 21/318 B
, H01L 29/74 B
, H01L 29/74 301
5F005AH04
, 5F005BB02
, 5F040DA00
, 5F040DA21
, 5F040DC01
, 5F040EB14
, 5F040EB18
, 5F040EL02
, 5F040FC00
, 5F058BA01
, 5F058BD10
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF30
, 5F058BJ01
, 5F058BJ03
