特許
J-GLOBAL ID：200903077796954246

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
田中 伸史

田中 伸史 について

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藤原 一郎

藤原 一郎 について

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青笹 浩

青笹 浩 について

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野本 和正

野本 和正 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100264
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203917
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】電荷保持特性を改善し、低電圧化および/または高速化を図る。また、デバイス特性の経時変化を抑制する。【解決手段】電荷保持能力を有した電荷蓄積層CSを内部に含み、半導体SUBの活性領域上に積層された複数の誘電体膜と、複数の誘電体膜上の電極Gとを有している。電荷蓄積層CSが、窒化珪素または酸化窒化珪素からなる第1の窒化膜CS1と、窒化珪素または酸化窒化珪素からなり、第1の窒化膜CSより電荷トラップ密度が高い第2の窒化膜CS2とを含む。
請求項（抜粋）：
電荷保持能力を有した電荷蓄積層を含む複数の誘電体膜を半導体の活性領域上に形成し、電極を上記複数の誘電体膜上に形成する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、上記複数の誘電体膜の形成時に以下の諸工程、すなわち、クロルシランSiHX1Cl4-X1 (x1=1,2) 、クロルジシランSi2 Hy1Cl6-y1(y1=1,2,3,4)または四塩化珪素SiCl4 からなる塩素含有ガスと窒素含有ガスとを原料に用いた化学的気相堆積により第1の窒化膜を形成する工程と、上記第1の窒化膜の形成時に用いる上記塩素含有ガスより塩素の組成比が低いクロルシランSiHX2Cl4-X2 (x2>x1, x2=2,3) 、クロルジシランSi2 Hy2Cl6-y2 (y2>y1, y2=2,3,4,5) 、モノシランSiH4 またはジシランSi2 H6 からなる塩素含有ガスと窒素含有ガスとを原料に用いた化学的気相堆積により第2の窒化膜を形成する工程とを含む不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/115
FI (4件)：
H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Fターム (49件)：
5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F083EP18 ,  5F083EP63 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER19 ,  5F083ER30 ,  5F083GA02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F083PR15 ,  5F083PR21 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA46 ,  5F101BB08 ,  5F101BC01 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD30 ,  5F101BD36 ,  5F101BD37 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH05 ,  5F101BH06 ,  5F101BH09 ,  5F101BH30
引用特許：
審査官引用 (10件)
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