特許
J-GLOBAL ID：200903004363131809
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086980
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283838
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】リッジ型半導体レーザ装置の単一モード性を維持したまま、素子抵抗を低下させ、高出力まで単一モードで発振する半導体レーザ装置を実現する。【解決手段】活性層に対し基板と反対側のクラッド層内に絶縁物よりなる狭窄層を設け、同時に電流狭窄層上部の電極面積は大きく取れる構造を採用する。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板と、前記第一導電型半導体基板上に直接または1層ないし数層の結晶層を介して形成された第一導電型クラッド層と、前記第一導電型クラッド層上に直接または1層ないし数層の結晶層を介して形成された活性層と、前記活性層上に直接または1層ないし数層の結晶層を介して形成された第二導電型の第1クラッド層と前記第二導電型の第1クラッド層上に直接または1層ないし数層の結晶層を介して形成されたリッジとを備え、前記リッジが前記第1クラッド層の電流注入領域に形成された経小部とこの経小部上にこれと一体で広面積に形成され且つ経小部周囲のその下面と前記第1クラッド層上面との間に間隙を形成する経大部とを有する第二導電型クラッド層からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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