バッチ式熱処理方法とバッチ式熱処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-338459
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141347
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】ウエハを昇温又は降温しながら熱処理を行う際に、処理ガスを供給するタイミングを適切に設定する。【解決手段】ウエハの温度を上昇又は降下させながら処理ガスを供給して熱処理を行う。ウエハを昇温しながら熱処理を実行する場合には、ウエハの周縁部の温度が中心部の温度よりも所定量だけ大きくなった後に、処理ガスを供給するする。一方、ウエハを降温しながら熱処理を実行する場合には、ウエハの中心部の温度が周縁部の温度よりも所定量だけ大きくなった後に、処理ガスを供給する。

請求項（抜粋）：

ヒータ部を備える加熱炉内に複数の被処理体を収容し、ヒータ部を制御して、被処理体の温度を変化させながら加熱炉内に処理ガスを供給して、被処理体に熱処理を施すバッチ式熱処理方法において、前記加熱炉内の被処理体上の中心部の温度と周縁部の温度とを測定し、測定した中心部の温度と周縁部の温度との差が所定値に達してから加熱炉内に処理ガスを供給して、被処理体に熱処理を施す、ことを特徴とするバッチ式熱処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/22 501 , H01L 21/22 511 , H01L 21/22 , H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/316 A , H01L 21/22 501 N , H01L 21/22 511 Q , H01L 21/22 511 A , H01L 21/31 E , H01L 21/31 B

Fターム (18件)：

5F045AA08 , 5F045AA20 , 5F045AC11 , 5F045AC13 , 5F045BB01 , 5F045DP19 , 5F045EK27 , 5F045EK30 , 5F045GB05 , 5F045GB15 , 5F045GB17 , 5F058BA06 , 5F058BC02 , 5F058BF53 , 5F058BF62 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG10

引用特許：

出願人引用 (2件)

低圧下のシリコン酸化膜及び酸窒化膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-346878 出願人：三星電子株式会社
熱処理のモデル規範型予測制御
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-527765 出願人：エイエスエムアメリカインコーポレイテッド

審査官引用 (2件)

低圧下のシリコン酸化膜及び酸窒化膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-346878 出願人：三星電子株式会社
熱処理のモデル規範型予測制御
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-527765 出願人：エイエスエムアメリカインコーポレイテッド

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