半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-342642
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176166
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】異なる電源電圧仕様を同一チップで実現させる場合に、ATDパルス発生回路による内部タイミングをボンディング仕様の変更により切り替えることができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 1Mバイトワイド高速SRAMであって、複数のメモリセルからなるメモリマット、ロウ/カラムデコーダ、アドレスバッファ、データを検知・増幅するセンスアンプ、データを入出力する入出力回路、ATDパルス信号を発生するATDパルス発生回路、ATDパルスを集合、合成するATDパルス集合回路、イコライズ/コントロール信号を発生するリード/ライトコントロール回路などから構成され、ATDパルス発生回路ATDPGの内部タイミング調整用信号ITCの電圧レベルをボンディング仕様の変更によりHIGHまたはLOWにすることによってパルス幅が切り替えられて内部タイミングが調整される。

請求項（抜粋）：

アドレスバッファからのアドレス信号を入力としてATDパルス信号を発生し、このATDパルス信号による内部タイミングをボンディング仕様の変更により切り替えるATDパルス発生回路を有することを特徴とする半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 11/34 L , G11C 11/34 345

引用特許：

出願人引用 (6件)

エッジ遷移検知装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-236332 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
特開昭63-004492
特開平3-214495

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審査官引用 (6件)

エッジ遷移検知装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-236332 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
特開昭63-004492
特開平3-214495

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