特許
J-GLOBAL ID:200903004391623610
太陽電池用基板およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
蛯谷 厚志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-232553
公開番号(公開出願番号):特開2001-127327
出願日: 2000年08月01日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】フレキシブルでハンドリング性がすぐれ、しかもカールを生じにくい太陽電池基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】特定の構造単位を有するポリイミドからなり、熱膨張係数が-10〜10ppm/°C、ヤング率が700kg/mm2以上のポリイミドフィルムの表面に金属電極を形成し、この金属電極上にアモルファスシリコン層を形成し、さらにこのアモルファスシリコン層上に透明電極を形成したことを特徴とする太陽電池基板。
請求項(抜粋):
下記一般式(I)および(II)で示される構造単位を有するポリイミドからなり、熱膨張係数が-10〜10ppm/°C、ヤング率が700kg/mm2以上のポリイミドフィルムの表面に金属電極を形成し、この金属電極上にアモルファスシリコン層を形成し、さらにこのアモルファスシリコン層上に透明電極を形成したことを特徴とする太陽電池基板。【化1】【化2】[ただし、式中R1およびR2は【化3】で示される基から選ばれたいずれかでありR1とR2は同じでも構わない。またR3は炭素数6以上の芳香族基であり、さらにX:Yのモル比は100〜20:0〜80である。
IPC (9件):
H01L 31/04
, B29C 55/12
, C08G 73/10
, C08J 5/18 CFG
, C08J 7/06
, B29K 79:00
, B29L 7:00
, B29L 9:00
, C08L 79:08
FI (9件):
B29C 55/12
, C08G 73/10
, C08J 5/18 CFG
, C08J 7/06 A
, B29K 79:00
, B29L 7:00
, B29L 9:00
, C08L 79:08
, H01L 31/04 M
引用特許: