特許
J-GLOBAL ID:200903004396566096
プラズマ処理装置及びそのガス排気方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-255088
公開番号(公開出願番号):特開2009-088185
出願日: 2007年09月28日
公開日(公表日): 2009年04月23日
要約:
【課題】処理空間にガスが滞留し難く、被処理基板に常に新鮮な処理ガスを供給することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】内部空間15を形成する処理容器2と、内部空間15内に設けられた、被処理基板Wが載置される基板載置台3と、内部空間15内に設けられ、この内部空間15の内径a15よりも小さい内径a1を有する、基板載置台3の上方にプラズマ処理を行う処理空間1を区画する処理空間形成部材16と、処理空間形成部材16の上端部16aと内部空間15の内壁15aとの間に設けられた、処理空間1からガスを排気する排気口6と、を具備する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
内部空間を形成する処理容器と、
前記内部空間内に設けられた、被処理基板が載置される基板載置台と、
前記内部空間内に設けられ、この内部空間の内径よりも小さい内径を有する、前記基板載置台の上方にプラズマ処理を行う処理空間を区画する処理空間形成部材と、
前記処理空間形成部材の上端部と前記内部空間の内壁との間に設けられた、前記処理空間からガスを排気する排気口と、
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/31
, H01L 21/306
, C23C 16/511
, C23C 16/455
FI (4件):
H01L21/31 C
, H01L21/302 101D
, C23C16/511
, C23C16/455
Fターム (26件):
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030EA11
, 4K030FA01
, 4K030GA02
, 4K030KA08
, 4K030LA15
, 5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004BB28
, 5F004BC02
, 5F004BC03
, 5F004CA05
, 5F045AA09
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045BB02
, 5F045BB14
, 5F045EE14
, 5F045EE20
, 5F045EF20
, 5F045EG02
, 5F045EH02
, 5F045EH03
, 5F045EM10
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-165504
出願人:東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (2件)
-
半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-145621
出願人:住友金属工業株式会社
-
プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-144562
出願人:東京エレクトロン株式会社
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