特許

J-GLOBAL ID：200903004400074063

P型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びP型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子

発明者： 徳寺 重和 ,  山路 太平 ,  野口 幸治
出願人/特許権者： 星和電機株式会社
代理人 (1件)： 大西 孝治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-337175
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156003
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【目的】 特別な設備を必要とすることなく、量産製に優れたP型窒化ガリウム系半導体の製造方法とする。【構成】 減圧気相成長法によってP型不純物としての,マグネシウムをドーピングしたGaN系化合物半導体層としてのMgドープGaN層600を基板としてのサファイア基板100に形成した後、その上に、少なくとも400°C以上の温度では電子が主なキャリアとなる金属からなる膜としてZn膜700を形成し、減圧不活性ガスとしての窒素ガス雰囲気下で降温させるようになっている。

請求項（抜粋）：

減圧気相成長法によってP型不純物をドーピングしたGaN系化合物半導体層を形成した後、その上に、少なくとも400°C以上の温度では電子が主なキャリアとなる金属又は半導体からなる膜を形成し、減圧不活性ガス雰囲気下で降温させることを特徴とするP型窒化ガリウム系半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 L

Fターム (22件)：

5F041AA31 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA45 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB14 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045CA11 ,  5F045DA54 ,  5F045HA16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-242245   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-226608   出願人：株式会社東芝
• p型窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-070242   出願人：株式会社東芝