特許
J-GLOBAL ID：200903088799444534
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-226608
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144962
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 製造が簡単で高発光効率のGaN系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN系の半導体発光素子のpn接合発光領域を構成するp型クラッド層304の上部にn型キャップ層305を形成し、p型クラッド層のアクセプタ不純物の活性化率を高くする。またn型キャップ層を電流狭窄構造に用いる。
請求項（抜粋）：
一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x、y≦1)で示されるGaN系半導体の積層構造を有する半導体発光素子であって、該積層構造は、発光領域に電子および正孔を注入するためのn型半導体領域およびp型半導体領域を少なくとも具備し、該p型半導体領域の上部にn型キャップ層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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