半導体装置の実装構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-297833
公開番号（公開出願番号）：特開2005-073342
出願日： 2003年08月21日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】半導体素子で発生するノイズの放出を、バイパスコンデンサを外付けすることなく、しかも効果的に抑制できる半導体装置の実装構造を提供する。【解決手段】半導体装置は、電力用半導体素子と、半導体素子の一面及び他面にそれぞれ接合された第1及び第2の電極板と、半導体素子を制御する制御回路との接続端子と、半導体素子、第1及び第2電極板を封止する絶縁性の樹脂モールドとを含む半導体モジュール30と、誘導体となる第1及び及び第2絶縁部材50A及び50Bを介して半導体モジュールを両側から保持する導電性の第1及び第2保持部材55A及び55Bとから成る。第1及び/又は第2の電極板と、第1及び/又は第2保持部材と、第1及び/又は第2絶縁部材とで、半導体素子で発生するノイズがバスバーに放出されるのを防止する、ノイズ抑制用バイパスコンデンサ57A及び57Bが形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

電力用半導体素子と、該半導体素子の一面及び他面にそれぞれ接合された第1の電極板及び第2の電極板と、該半導体素子を制御する制御回路との接続端子と、該半導体素子並びに該第1電極板及び第2電極板を封止する絶縁性の樹脂モールドと、を含む半導体モジュールと、誘導体となる第1絶縁部材及び第2絶縁部材を介して前記半導体モジュールを両側から保持する導電性の第1保持部材及び第2保持部材と、から成り、前記第1電極板及び/又は第2の電極板と、前記第1保持部材及び/又は第2保持部材と、前記第1絶縁部材及び/又は第2絶縁部材とによりノイズ抑制用バイパスコンデンサが形成されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。

IPC (4件)：

H02M1/12 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M1/14

FI (3件)：

H02M1/12 , H02M1/14 , H01L25/04 C

Fターム (16件)：

5H740AA04 , 5H740BA11 , 5H740BB05 , 5H740BB09 , 5H740BB10 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740MM03 , 5H740MM08 , 5H740MM10 , 5H740NN01 , 5H740NN05 , 5H740PP01 , 5H740PP02 , 5H740PP03 , 5H740PP06

引用特許：

出願人引用 (1件)

自励式整流回路のノイズ抑制回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-098282 出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-212325 出願人：株式会社デンソー
冷媒冷却型両面冷却半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-136934 出願人：株式会社デンソー
インバータ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-126807 出願人：株式会社安川電機

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