特許
J-GLOBAL ID：200903019465495780

冷媒冷却型両面冷却半導体装置

発明者：
井上 誠司

井上 誠司 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-136934
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320005
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】簡素な構造で優れた放熱能力を奏しえる冷媒冷却型両面冷却半導体装置を提供すること。【解決手段】 両面冷却型半導体モジュール1と、扁平な接触受熱面を有して冷却流体が内部を流れる冷媒チュ-ブ2とを絶縁スペ-サを介して密接させた状態で両面冷却型半導体モジュール1を冷媒チュ-ブ2にて両面冷却型半導体モジュール2の厚さ方向に挟圧部材6,7,10で挟圧する。構造が簡素で冷却効果が大きく、冷却効果のばらつきが少ない半導体装置を実現できる。のさせるを備える。
請求項（抜粋）：
半導体チップ又は両面冷却型半導体モジュールと、扁平な接触受熱面を有して冷却流体が内部を流れる冷媒チュ-ブと、前記半導体チップ又は両面冷却型半導体モジュールの両主面に前記冷媒チュ-ブの平坦面を絶縁スペ-サを介して又は直接に密接させた状態で前記半導体チップ又は両面冷却型半導体モジュールを前記冷媒チュ-ブにて半導体チップ又は両面冷却型半導体モジュールの厚さ方向に挟圧させる挟圧部材と、を備えることを特徴とする冷媒冷却型両面冷却半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/40 ,  H01L 23/473 ,  H05K 7/20
FI (3件)：
H01L 23/40 D ,  H05K 7/20 N ,  H01L 23/46 Z
Fターム (11件)：
5E322AA05 ,  5E322AB04 ,  5E322AB07 ,  5E322AB08 ,  5E322FA01 ,  5F036AA01 ,  5F036BA05 ,  5F036BB21 ,  5F036BB41 ,  5F036BC09 ,  5F036BC17
引用特許：
審査官引用 (24件)
  • 平型半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-067547   出願人：富士電機株式会社
  • パワー半導体装置の冷却装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-188464   出願人：富士電機株式会社
  • 半導体スタツク装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-244891   出願人：大阪電気株式会社
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