特許
J-GLOBAL ID：200903004467649850

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを用いた半導体装置

発明者：
大沼 英人

大沼 英人 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157652
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335672
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 金属元素を利用して結晶化させた珪素膜を活性層とした用いたTFTにおいて、金属元素によるTFT特性への悪影響を排除する。【解決手段】 Niを利用して結晶化させた結晶性珪素膜を活性層とするTFTにおいて、ソース/ドレインに対応する領域114、116に燐をドーピングし、その後に加熱処理を行う。この際において、115の領域に存在するニッケルが120や121で示されるように先に燐がドーピングされた領域にゲッタリングされる。こうすることで、低濃度不純物領域117、119が形成される領域におけるNi濃度を低くすることができ、TFTの特性に悪影響が及ぶのを抑制することができる。
請求項（抜粋）：
チャネル領域に隣接して配置された高抵抗領域と、前記高抵抗領域に隣接して配置されたソースまたはドレイン領域と、を有し、前記ソースまたはドレイン領域には珪素の結晶化を助長する金属元素が高濃度に含まれており、前記高抵抗領域には前記金属元素が低濃度に含まれていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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