太陽電池用基板および薄膜太陽電池

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (2件)：原謙三 , 原謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333701
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141523
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】結晶質シリコン膜中の欠陥密度低減と、太陽電池用基板の凹凸表面層による光閉込効果とを両立させることが可能な太陽電池用基板および薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】薄膜太陽電池20は、ガラス基板11a、裏面電極11b、凹凸表面層11c、n型結晶質シリコン層12、i型結晶質シリコン層13、p型シリコン層14、透明電極15、表面電極16が、この順番で積層されて構成されている。前記凹凸表面層11cの表面の凹凸を表す指標として、凹凸表面層11cの凹凸の高さを示す二乗平均値を使用すると、本実施形態の凹凸表面層11cの凹凸の二乗平均値は、15〜600nmの範囲に設定されており、かつ凹凸の平均線に対する凹凸表面の傾斜角をΘとしたときのtanΘが、0.10〜0.30の範囲に設定されている。

請求項（抜粋）：

光電変換層に接する表面が凹凸化されており、該凹凸に向かって光が入射する太陽電池用基板であって、上記凹凸の高さは、その二乗平均値が15nm〜600nmの範囲になるように設定されていると共に、上記凹凸の平均線に対する該凹凸表面の傾斜角をΘとしたときのtanΘが0.10〜0.30の範囲に設定されていることを特徴とする太陽電池用基板。

Fターム (12件)：

5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CA15 , 5F051CB21 , 5F051CB24 , 5F051DA04 , 5F051FA02 , 5F051GA03 , 5F051GA05 , 5F051GA14 , 5F051GA20

引用特許：

出願人引用 (9件)

シリコン系薄膜光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-151847 出願人：鐘淵化学工業株式会社
光電変換素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-100275 出願人：三洋電機株式会社
薄膜太陽電池及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-302611 出願人：シャープ株式会社

全件表示

審査官引用 (1件)

シリコン系薄膜光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-151847 出願人：鐘淵化学工業株式会社

前のページに戻る