特許

J-GLOBAL ID：200903004471449785

半導体受光装置および製造方法

発明者： 伊藤 和弘 ,  田中 滋久 ,  松岡 康信 ,  小野 綱男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358509
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177143
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】主たる課題は、化合物半導体を用いた半導体受光装置のうち、従来製造が困難であった低暗電流で高信頼性のメサ型構造の半導体受光装置の提供。【解決手段】主たる構成は、結晶の少なくとも一部にpn接合を含まない第一のメサと該第一のメサより面積が大きく、且つ、pn接合を含む第二のメサから成り、少なくとも上記第一のメサの側面と第一のメサの外周面の少なくとも一部に少なくとも一種の半導体層が形成されている

請求項（抜粋）：

結晶の少なくとも一部にpn接合を含まない第一のメサと該第一のメサより面積が大きく、且つ、pn接合を含む第二のメサから成り、少なくとも上記第一のメサの側面と第一のメサの外周面の少なくとも一部に少なくとも一種の半導体層が形成されていることを特徴とする半導体受光装置。

Fターム (16件)：

5F049MA08 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049NA06 ,  5F049NA08 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049QA12 ,  5F049QA15 ,  5F049QA16 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ12 ,  5F049SZ13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 超格子アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-016664   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭62-085477
  
• アバランシェフォトダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-123978   出願人：日本電気株式会社