特許
J-GLOBAL ID：200903018731737187
アバランシェフォトダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123978
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313131
出願日： 1997年05月14日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 信頼性が高く、かつ、低暗電流、高速応答の新しいメサ型超格子アバランシェフォトダイオード(APD)を提供する。【解決手段】 第1導電型半導体基板11に、第1導電型半導体バッファ層12、半導体増倍層13、第2導電型半導体電界緩和層14、第2導電型半導体光吸収層15、第2導電型半導体キャップ層16、第2導電型半導体コンタクト層17を順次積層した光吸収増倍分離型の超格子APDにおいて、前記第2導電型半導体コンタクト層17、第2導電型半導体キャップ層16及び第2導電型光吸収層15の3層のみをエッチング除去して形成された低メサ構造を有し、かつ、該メサ形成領域外周に前記第2導電型光吸収層よりも大きなバンドギャップを有する半導体を再成長形成した層を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板に、第1導電型半導体バッファ層、半導体増倍層、第2導電型半導体電界緩和層、第2導電型半導体光吸収層、第2導電型半導体キャップ層、第2導電型半導体コンタクト層を順次積層した光吸収増倍分離型の超格子アバランシェフォトダイオードにおいて、前記第2導電型半導体コンタクト層、第2導電型半導体キャップ層及び第2導電型光吸収層の3層のみをエッチング除去して形成された低メサ構造を有し、かつ、該メサ形成領域外周に前記第2導電型光吸収層よりも大きなバンドギャップを有する半導体を再成長形成した層を有することを特徴とするメサ型の超格子アバランシェフォトダイオード。
引用特許：
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