特許
J-GLOBAL ID：200903004496173601

半導体ウェハの研磨終点検出方法ならびにその装置

発明者：
長谷川 功一

長谷川 功一 について

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三橋 秀男

三橋 秀男 について

, 
大川 勝久

大川 勝久 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-182199
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009030
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 絶縁膜上のバリア膜が除去されたことを研磨終点として、精度良く検出することのできる半導体ウェハの研磨終点検出方法ならびにその装置を提供する。【解決手段】 光源111によって生成される所定波長の検査光を半導体ウェハ1上の任意位置に所定の系で照射し、照射位置で正反射された反射光の光束を受光素子114に集光する一つ以上の測定系を用い、ウェハ1面上の研磨進行状況の分布を計測し、ウェハ研磨面上の任意位置の研磨終点を検出(終点検出装置151)して研磨終了としたり、研磨が最も遅い部分の研磨終点で研磨を終させる等、半導体ウェハ表面上の研磨分布により研磨終点を適宜変え、最適な研磨結果が得られるようにしたり、研磨ムラを減らす意図でCMP装置900にウェハ研磨分布情報を伝える。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上に配線を形成する際に用いる化学的機械的研磨プロセスにおいて、1以上の測定系を用いて前記半導体ウェハ面上の研磨進行状況の分布を測定し、その結果に従い研磨終点を適宜変更し、最適な研磨結果を得ることを特徴とする半導体ウェハの研磨終点検出方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/04
FI (2件)：
H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/04 K
Fターム (10件)：
3C058AC01 ,  3C058AC02 ,  3C058BA07 ,  3C058BB06 ,  3C058BB08 ,  3C058BB09 ,  3C058BC02 ,  3C058BC03 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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