特許
J-GLOBAL ID：200903004514141666
ポリエステル樹脂製容器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-128248
公開番号（公開出願番号）：特開2009-274745
出願日： 2008年05月15日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】ガスバリア性、樹脂基材に対する密着性、加工性に優れた被膜を備えるポリエステル樹脂製容器を提供する。【解決手段】ポリエステル樹脂製容器は、内面側の樹脂基材上にSiを含有する薄層被膜を備える。薄層被膜は、樹脂基材上にPICVD法により形成された下部被膜層と上部被膜層とを備える。下部被膜層は、SiとCとOとを含み、少なくとも7nmの厚さを備え、HR-RBSデプスプロファイル分析による元素組成で、該樹脂基材表面から該上部被膜層に接する部位に向かって、Si及びOの含有量が増加する一方、Cの含有量が減少し、該樹脂基材表面から少なくとも5nmの厚さの領域でSiの含有量が14原子%以下である。上部被覆層は、SiとCとOとを含み、5〜15nmの範囲の厚さを備え、HR-RBSデプスプロファイル分析による元素組成で、Si原子数に対するO原子数の比が2.1〜2.5にあり、Cの含有量が15原子%以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
容器内面側の樹脂基材上にケイ素を含有する薄層被膜を備えるポリエステル樹脂製容器において、
該薄層被膜は、該樹脂基材上に有機ケイ素化合物を用いるPICVD法により形成された下部被膜層と、該下部被膜層上にPICVD法により形成された上部被膜層とを備え、
該下部被膜層は、ケイ素と炭素と酸素とを含み、少なくとも7nmの厚さを備えると共に、高分解能ラザフォード後方散乱分光法を用いたデプスプロファイル分析による元素組成で、該樹脂基材表面から該上部被膜層に接する部位に向かって、ケイ素及び酸素の含有量が増加する一方、炭素の含有量が減少し、かつ、該樹脂基材表面から少なくとも5nmの厚さの領域でケイ素の含有量が該領域に含まれるケイ素と炭素と酸素との総和に対し14原子%以下の範囲であり、
該上部被覆層は、ケイ素と炭素と酸素とを含み、5〜15nmの範囲の厚さを備えると共に、高分解能ラザフォード後方散乱分光法を用いたデプスプロファイル分析による元素組成で、ケイ素原子数に対する酸素原子数の比が2.1〜2.5の範囲にあり、炭素の含有量が該上部被覆層に含まれるケイ素と炭素と酸素との総和に対し15原子%以下の範囲であることを特徴とするポリエステル樹脂製容器。
IPC (4件)：
B65D 25/14
, B65D 23/02
, C23C 16/511
, C23C 16/42
B65D25/14 Z
, B65D23/02 Z
, C23C16/511
, C23C16/42
3E062AA09
, 3E062AC02
, 3E062JA01
, 3E062JA07
, 3E062JB24
, 3E062JD01
, 4K030AA06
, 4K030AA14
, 4K030BA27
, 4K030BA44
, 4K030BB13
, 4K030CA07
, 4K030CA15
, 4K030FA01
, 4K030JA08
, 4K030KA30
, 4K030LA24
