特許
J-GLOBAL ID：200903004523337727

発光素子

発明者：
ダニエル・エー・ステイガーワルド

ダニエル・エー・ステイガーワルド について


出願人/特許権者：
ヒューレット・パッカード・カンパニー

ヒューレット・パッカード・カンパニー について


代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-036924
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256601
出願日： 1998年02月19日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】発光効率が高く発光波長が長い発光特性が向上したGaN系LEDを実現する。【解決手段】量子井戸活性領域に隣接する層にふくまれる不純物と同じ不純物を導入する。特性向上と不純物拡散の制御不能なまたは望ましくない効果の低減がなされる。まず、基板上にGaN核生成層、SiをドープしたGaN電流拡散層、それぞれが、それぞれ第1、第2の不純物を含んでいる第1、第2の閉じ込め層とを順次形成する。 また、第1、第2の閉じ込め層の間には発光特性が向上するように選択された量子井戸不純物を備える、薄い量子井戸活性領域が挿入されている。
請求項（抜粋）：
基板と、基板上に配置されたGaN核生成層と、GaN核生成層上に配置されたSiをドープしたGaN電流拡散層と、SiをドープしたGaN電流拡散層上に配置された、それぞれが、それぞれ第1、第2の不純物を含んでいる第1、第2の閉じ込め層と、第1、第2の閉じ込め層の間に挿入され、発光素子の発光特性が向上するように選択された量子井戸不純物を備える、薄い量子井戸活性領域と、を備えた発光素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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