窒化物半導体発光素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036250
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036430
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】発光出力が高く、発光スペクトルの半値幅が狭い窒化物半導体発光素子が提供する。【解決手段】活性層(15)を量子井戸構造とする。活性層(15)上に設けられるp型クラッド層96のうち、第1のp型クラッド層(96a)をアルミニウムとガリウムを含むp型窒化物半導体で形成し、第2のp型クラッド層(96b)を同様のp型窒化物半導体であるが、第1のp型クラッド層(96b)よりもバンドギャップの大きいもので形成する。

請求項（抜粋）：

第1の主面および第2の主面を有し、かつインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体を包含する量子井戸構造の活性層、該活性層の第1の主面上に設けられたn型窒化物半導体層、および第2の主面上に設けられたp型窒化物半導体層を有する半導体積層構造を備え、該n型半導体層は、該活性層の第1の主面に接して設けられ、かつインジウムとガリウムとを含むn型の窒化物半導体よりなる第1のn型クラッド層を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-203084 出願人：日本電信電話株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-157219 出願人：日亜化学工業株式会社
3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-210076 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩

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