特許

J-GLOBAL ID：200903004528948945

フォトレジスト剥離剤組成物

発明者： 山田 健二 ,  丸山 岳人 ,  南場 哲 ,  青山 哲男
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
代理人 (1件)： 永井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190807
公開番号（公開出願番号）：特開2003-005385
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：

【要約】【課題】強誘電体メモリ-の製造工程において、強誘電体薄膜のドライエッチング後のフォトレジスト残渣に対し、その除去性に優れ、かつ強誘電体材料や他の配線材料、絶縁膜等への、腐食性がなく、安全で簡便な剥離剤組成物を提供すること。【解決手段】シュウ酸とポリオキシエチレンアルキルエ-テル硫酸塩および/またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエ-テル硫酸塩を含有する水溶液からなる剥離剤。

請求項（抜粋）：

【請求項1】強誘電体メモリ-の製造工程で、強誘電体薄膜のドライエッチング時に生成するフォトレジスト残渣を除去するのに使用する、シュウ酸とポリオキシエチレンアルキルエ-テル硫酸塩および/またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエ-テル硫酸塩を含有する水溶液からなるフォトレジスト剥離剤組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/42 ,  C09D 9/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/308 ,  H01L 27/105

FI (6件)：

G03F 7/42 ,  C09D 9/00 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/308 E ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (17件)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096LA03 ,  4J038RA02 ,  4J038RA05 ,  4J038RA09 ,  4J038RA12 ,  4J038RA16 ,  5F043CC14 ,  5F046MA02 ,  5F083FR00 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 電子材料用基板洗浄液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-112882   出願人：関東化学株式会社
• フォトレジスト剥離液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-039450   出願人：関東化学株式会社
• 剥離剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-073798   出願人：花王株式会社
• 剥離剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-014677   出願人：花王株式会社
• フォトレジスト剥離剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190128   出願人：三菱瓦斯化学株式会社