特許
J-GLOBAL ID：200903004538407500
シリコンマイクロホン
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 今城 俊夫
, 西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-546619
公開番号（公開出願番号）：特表2005-535152
出願日： 2002年10月15日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
ソリッドステートトランスデューサ。トランスデューサは、支持構造を形成し、開口部を有する基体を備える。流体伝達音圧に応答するダイヤフラムを形成する薄膜構造が、開口部の上に配置される。トランスデューサは更に、ダイヤフラムの周縁部を支持体に結合するため、複数の半導体支持体と、ダイヤフラムの縁部から接線方向に延びるアームとを含む。アームは、ダイヤフラムが支持体に対して回転できるようにし、ダイヤフラム内のフィルム応力を緩和する。トランスデューサは更に、基体とダイヤフラムの間に配置された複数のストップバンプを備える。ストップバンプは、トランスデューサにバイアスがかけられるとき、基体からダイヤフラムの分離を決める。
請求項（抜粋）：
ソリッドステートトランスデューサであって、
支持構造を形成し、開口部を有する基体、
流体伝達される音圧に応答し前記開口部の上に配置されたダイヤフラムを形成する薄膜構造、
複数の支持体、
前記ダイヤフラムの周縁部を前記支持体に結合する手段であって、歪んで、前記支持体に対して前記ダイヤフラムが動けるようにし、前記ダイヤフラムのフィルム応力を緩和することができる前記結合手段、及び、
前記基体と前記ダイヤフラムの間に配置されて、前記トランスデューサにバイアスがかけられるとき、前記基体から前記ダイヤフラムの分離を決める複数のストップバンプを備えることを特徴とするトランスデューサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
5D016FA01
, 5D021CC10
, 5D021CC12
, 5D021DD01
