特許

J-GLOBAL ID：200903004562383892

記憶システム

発明者： 竹内 健 ,  田中 智晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-288896
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 多値記憶のメモリセルを含みながらも、特に書き換えに関する耐久性に富む記憶システムを提供すること。【解決手段】 n値(nは3以上の自然数で、例えば4)を記憶するメモリセルを含む記憶部を有する記憶システムであって、所定の書き換え回数までは、メモリセルをn値記憶のメモリセルとして使用し、所定の書き換え回数以後は、メモリセルをm値記憶(mはn未満の自然数で、例えば3)のメモリセルとして使用する。このように、所定の書き換え回数を境として、1つのメモリセルに蓄えられる情報(値)の数を、減らしていく。

請求項（抜粋）：

n値(nは3以上の自然数)を記憶するメモリセルを含む記憶部を有する記憶システムであって、所定の書き換え回数までは、前記メモリセルをn値記憶のメモリセルとして動作させ、前記所定の書き換え回数以後は、前記メモリセルをm値記憶(mはn未満の自然数)のメモリセルとして動作させることを特徴とする記憶システム。

IPC (2件)：

G11C 16/04 ,  G11C 11/56

FI (2件)：

G11C 17/00 308 ,  G11C 11/56

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-122014   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平2-220297
  
• 不揮発性メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-241127   出願人：富士通株式会社