特許
J-GLOBAL ID：200903004567864392

半導体装置及びその製造方法

発明者：
倉嶋 信幸

倉嶋 信幸 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-180382
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358254
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 樹脂バンプ部の外表面を被覆する金属膜の剥離、脱落を防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 金属基材10の一方の面の素子搭載部の近傍に、該素子搭載部に搭載する半導体素子20と電気的に接続される外部接続端子26の平面配置に合わせて凹部14を形成し、該凹部14の内面を前記金属基材10を溶解するエッチング液で溶解されない金属からなる金属膜16によって被覆した後、前記凹部14の開口縁に潰し加工を施して金属膜16の周縁部が凹部14の内側に突出する係止部16aを形成し、該係止部16aを形成した金属基材10の一方の面の素子搭載部に半導体素子20を搭載して、該半導体素子20の電極端子と前記金属膜16の内面とをワイヤボンディングし、前記半導体素子20、ボンディングワイヤ22及び凹部14を含む前記金属基材10の一方の面側を樹脂封止した後、前記金属基材10を溶解して除去し、前記金属膜16を露出させる。
請求項（抜粋）：
半導体素子を樹脂封止する樹脂封止部の実装面側に樹脂封止部と一体に複数の樹脂バンプ部が形成され、該樹脂バンプ部の外表面が金属膜により被覆されるとともに、該金属膜の内面と半導体素子の電極端子とがワイヤボンディングされてなる半導体装置において、前記樹脂バンプ部の基部を被覆する金属膜の周縁部が、前記樹脂バンプ部を形成する樹脂中に延在する係止部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 501 ,  H01L 23/50
FI (2件)：
H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/50 R
Fターム (6件)：
5F067AA01 ,  5F067AB04 ,  5F067CC02 ,  5F067CC05 ,  5F067DC19 ,  5F067DC20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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