特許
J-GLOBAL ID:200903004581184876

表面処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-163905
公開番号(公開出願番号):特開平9-017596
出願日: 1995年06月29日
公開日(公表日): 1997年01月17日
要約:
【要約】【目的】ウェーハ25の表面を処理する表面処理装置において、荷電粒子による電気的損傷やエネルギー粒子による物理的損傷を与えることなく大きい面積をもつウェーハ25の表面を均一に処理する。【構成】解離種を発生する解離種発生室2から中性活性粒子のみを抽出する開口部が低く該開口部から延在する小さい中性活性粒子の抽出室3を設け、該中性活性粒子が放出される被表面処理試料の幅に対応する長さのスリット状開口部4から中性活性粒子のみ放出させウェーハ25を移動し処理する。
請求項(抜粋):
解離種発生源ガスを導入しながら圧力を一定に減圧維持しガス解離手段により前記解離種発生源ガスを解離し解離種を発生させる解離種発生室と、この解離種発生室の空間部の一側面より低く横長の開口部を有するとともに該開口部から外方向に伸び前記解離種の荷電粒子のエネルギーが消滅する程度の経路長さの小室を形成しかつ該小室の該開口部と反対側に配置されるスリット状開口部を有する抽出室と、この抽出室より低い圧力に減圧されその差圧で前記スリット状開口部から前記解離種の中性活性粒子を放出させるとともに被表面処理試料を収納する第1の試料室と、前記スリット状開口部の長手方向と直交する方向に前記被表面処理試料と前記抽出室とを相対的に移動させる第1の移動機構とを備えることを特徴とする表面処理装置。
IPC (3件):
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
FI (4件):
H05H 1/46 B ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/302 B
引用特許:
審査官引用 (3件)

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