特許
J-GLOBAL ID：200903004585808009

電子機器およびその作製方法

発明者：
張 宏勇

張 宏勇 について

, 
坂倉 真之

坂倉 真之 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-260882
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087683
出願日： 1997年09月09日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 受光部(フォトダイオード)と電荷転送部が積層されたイメージセンサにおいて、フォトキャリアの隣接画素への漏れ込みを防止する。【解決手段】 受光部60には、受光画素ごとに電気的に分離された下部電極61と、光電変換層62と、全べての受光画素に共通な上部電極63でなる。光電変換層62には、隣接する受光画素(下部電極61)の隙間と重なるように溝が設けられ、この溝部に絶縁性の光吸収物64が埋め込まれている。光吸収物64によって、上部電極63から入射した光は光吸収物64に吸収されて、受光画素の隙間の光吸収物64の下層の光電変換層62に達することが防止できるので、画素の隙間でのフォトキャリアの発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
複数の受光画素を備え、光電変換層を有する受光部と、前記受光部で発生した電荷を転送するための前記受光画素ごとに設けられた複数の電荷転送素子とが設けられた受光領域を有する電子機器において、前記受光部は、前記光電変換層に接し、前記受光画素ごとに電気的に分離され、かつ前記電荷転送素子に接続された複数の下部電極と、前記光電変換層に接し、前記複数の受光画素に共通な上部電極と、前記光電変換層の光の入射側に形成された溝部に埋め込まれた絶縁性の光吸収物とを有することを特徴とする電子機器。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14
FI (2件)：
H01L 27/14 E ,  H01L 27/14 D
引用特許：
審査官引用 (19件)
  • 特開昭62-086855
  • 特開昭62-086855
  • 液晶表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-237212   出願人：キヤノン株式会社
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