アクティブマトリクス回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197515
公開番号（公開出願番号）：特開平8-043859
出願日： 1994年07月30日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】アクティブマトリクス回路において、TFTのリーク電流による画素電圧の低下を低減させるための補助容量を提供する。【構成】層間絶縁物を少なくとも2層形成し、第1の層間絶縁物上に少なくとも表面が陽極酸化されたアルミニウム膜を用いて、アクティブマトリクス回路のソース配線および補助容量の一方の電極を、その上に窒化珪素膜によって第2の層間絶縁物を、第2の層間絶縁物上に画素電極を、それぞれ形成する。この結果、アルミニウムの配線と、画素電極との間で窒化珪素の第2の層間絶縁物を誘電体とする補助容量が形成される。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス回路において、ソース配線と同じ層内に存在し、表面が陽極酸化されたアルミニウムが最上面に存在する配線(アルミニウム配線)と、該アルミニウム配線上に設けられた画素電極と、該アルミニウム配線および画素電極の間に設けられた窒化珪素を主成分とする被膜とを有し、該アルミニウム配線と画素電極は電気的に絶縁されていることを特徴とするアクティブマトリクス回路。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 21/316 , H01L 29/786

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-288824
特開平2-216129
特開平4-167437

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