半導体製造装置および半導体製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：沼形義彰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-063607
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270579
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】変動に対応して処理特性の制御をうことができる半導体製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】モニタ結果とウエハ温度とを相関付ける関係式から、現在処理中のモニタ値と過去の良好に処理が行われたモニタ値とを比較して、前記関係式により両者のずれが最小になるようウエハ1の温度を制御する。処理特性の変動を監視するとともに、変動に対応して処理特性の制御を行うことができる。

請求項（抜粋）：

ウエハにプラズマ処理を行なうための処理室と、該処理室内に前記プラズマを発生させるための手段と、前記ウエハを積載し前記ウエハに前記プラズマにより処理を施すためのウエハステージを備えた半導体製造装置において、前記ウエハステージには、ウエハの温度もしくはステージ内部の温度もしくはその両方を計測すると手段と、ウエハの温度もしくはステージ内部の温度を任意に保つ温度調節機能を、処理装置の制御装置には過去のロット単位における処理結果の情報と、ウエハもしくはステージ温度と処理特性を相関付ける関係式を記憶する機能を具備し、前記関係式により過去の同種製品のロット単位おける処理結果のばらつきが最小になるようウエハの温度、もしくはステージ温度を求め、その値にしたがって一枚処理毎にウエハ処理時におけるウエハの温度、もしくはステージ温度を制御することを特徴とした半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/52 , H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/52 , H01L 21/205 , H01L 21/302 E

Fターム (23件)：

4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030JA10 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004CA08 , 5F004CB02 , 5F004CB12 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA22 , 5F004DB02 , 5F004EA11 , 5F045AA03 , 5F045BB03 , 5F045GB05 , 5F045GB16

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体ウェーハ処理システムの複数のパラメータを用いてプロセスを監視する方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-167642 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-076352 出願人：株式会社東芝

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