半導体装置の製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076352
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269195
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】真空容器内の適切な洗浄時期を判定したり、処理基板の加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制し得るドライエッチング装置を提供する。【解決手段】処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマ20を発生するための反応ガスが導入される真空容器1と、プラズマを含む装置系のインピーダンス、プラズマにかかる高周波信号のピーク間電圧およびカソード電極にかかる自己バイアス電圧のうちの少なくとも1つの物理量を測定する測定回路7〜9と、測定回路による測定値を予め用意されたデータと比較し、放電プラズマを用いた処理基板に対する加工特性の経時変化あるいは真空容器内部の洗浄時期を検知する検知回路13とを具備する。

請求項（抜粋）：

処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、前記プラズマを含む装置系のインピーダンス、前記プラズマにかかる高周波信号のピーク間電圧および前記カソード電極にかかる自己バイアス電圧のうちの少なくとも1つの物理量を測定する測定手段と、前記測定手段による測定値を予め用意されたデータと比較し、前記放電プラズマを用いた処理基板に対する加工特性の経時変化を検知する検知手段とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 E , H01L 21/205

Fターム (23件)：

5F004AA13 , 5F004BA13 , 5F004BB14 , 5F004BC08 , 5F004BD03 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA08 , 5F004CA09 , 5F004CB05 , 5F004CB07 , 5F004DA17 , 5F004DA26 , 5F004EB05 , 5F045AA09 , 5F045BB10 , 5F045BB14 , 5F045EB06 , 5F045EE12 , 5F045EH20 , 5F045GB04 , 5F045GB08 , 5F045GB16

引用特許：

審査官引用 (8件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-223123 出願人：東京エレクトロン山梨株式会社, 科学技術振興事業団
半導体製造装置における反応検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-048276 出願人：ソニー株式会社
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-326226 出願人：日本電気株式会社

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